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）及底層軟件交付。

2.2024年10月底前完成提交滿足考核指標數(shù)量要求的工程樣片/產(chǎn)品,。

3.2024年12月底前完成芯片量產(chǎn)（SOP）及相關測試報告,。

榜單金額：不超過400萬元。

功能性能：

8路 MOSFET橋,，驅(qū)動器可以驅(qū)動多達 16 個外部 n 溝道 MOSFET（8通道半橋預驅(qū)）,，支持電源防反功能，提供輸出過流,、開路,、短電源、短地診斷功能。

自適應多級 MOSFET 柵極控制,，具有2 個可配置增益的靈活電流檢測放大器（低側(cè),、高側(cè)能力和雙向）24 位串行外設接口，用于反向電池保護的集成雙級泵,，用于硬短路檢測的漏源監(jiān)測,，用于軟短路檢測的電流檢測監(jiān)控，過溫警告和關機,，超時看門狗,，通過 SPI 進行詳細的斷態(tài)診斷（負載開路、電池短路或 GND 短路）,，3 x PWM 輸入（高達 25kHz）,，能夠續(xù)流、睡眠模式低電流消耗,。

正常工作的電源電壓范圍：6.0V ~ 28V

擴展電源電壓范圍：5.5V ~ 28V

電源電壓瞬變轉(zhuǎn)換率：上升/下降速率不低于10V/μs

邏輯電源電壓：3.0V ~ 5.5V

結(jié)溫(Tj) ：-40°C ~ +150°C

絕對最大額定值:

電源電壓：-0.3V ~ 40V

PWM輸入電壓：-0.3V ~ 40V

邏輯輸入電壓：-0.3V ~ vdd+0.3V

電流檢測放大器的同相輸入,、反相輸入電壓：-0.8V ~ 8V

柵極驅(qū)動器動態(tài)預充電時間：150ns ~ 250ns

柵極驅(qū)動器動態(tài)預放電時間：150ns ~ 250ns

封裝形式：QFN-48

功能安全等級：QM

可靠性等級：通過AEC-Q100車規(guī)級產(chǎn)品測試（工作溫度范圍區(qū)間在-40°C~+125°C）。

交付物：滿足考核指標的用量1000片樣片,，并提供使用說明書（至少含芯片數(shù)據(jù)手冊,、用戶手冊、功能安全手冊）,、評估板以及相關軟件驅(qū)動,。提供具有AEC-Q100檢測資質(zhì)的第三方測試報告。

項目周期：

1.2023年12月前完成≥100片工程樣品（Engineer Sample）及相關軟件驅(qū)動交付,。

2.2024年10月底前完成提交滿足考核指標數(shù)量要求的工程樣片/產(chǎn)品,。

3.2024年12月底前完成芯片量產(chǎn)（SOP）及相關測試報告。

榜單金額：不超過400萬元,。

功能性能：

單通道高邊驅(qū)動,，具有診斷和嵌入式保護功能的高邊開關。VS具有欠壓檢測功能,。支持過流保護功能,。